7nm EUV禁運，中國半導體要怎么辦？

近日見到一文“7nm大戰在即買不到EUV光刻機的大陸廠商怎么辦？”。

受“瓦圣納條約“的限制，今天中國即便有錢想買EUV光刻機也不可能，此話是事實，不是危言聳聽。但是也不必擔心，因為只有工藝達到7納米及以下時才會使用EUV光刻機。

對于這樣的現狀，首先心態要放正確。西方繼續壓制中國半導體業的進步，這個政策在相當長時間內還會持續下去。

然而時代在改變，雙方都有一定的依賴性，因此是一場力量的博弈。如果自身缺乏足夠強大的力量，那就會喪失爭辯的余地。

芯片設計業走在前列

現階段中國的IC設計業肯定走在前列，如海思的Kirin 970，它將是華為第一款采用10 納米工藝技術的手機芯片，而且將繼續由晶圓代工龍頭臺積電來進行代工，預計將可能在 2017 年底前問世。所以從中國的芯片設計業角度，一定需要去思考7納米及以下的進程。

另外從IC研發角度，對于7納米及以下的工藝工藝，由于周期很長，現在起步也很有必要，但是研發與量產是兩個不同的階段，差異很大，也并非一定要用EUV光刻，用電子束光刻也同樣可以。電子束光刻的問題不是精度不夠，而是速度太慢，每小時才10片硅片左右。

但是現階段中國芯片制造業的龍頭企業中芯國際的量產工藝能力是28納米，幾乎差了三代。因此假設有一天臺積電不替海思代工，而海思也找不到其它的候補者，如三星，英特爾，或者格羅方德等，那么情況是嚴峻的，但也并不可怕，或許反而會促進中芯國際等加倍的努力。

研發與制造不一樣

僅從IC研發角度，中國半導體業從理論上至少要提前量產水平的兩代或者以上，決定于有經費的支持，及具備有相應的人才條件等。

然而對于建造芯片制造生產線，它由市場，技術及人才與競爭對手等條件來決定，需要作市場可行性的論證。

顯然還有一個最關鍵的因素，建一條7納米芯片生產線，月產能40,000片大約需要近80億美元，如果考量它的投資回報率ROI，此等決定要非常的謹慎。

因此，未來中國半導體業的發展，從研發角度，10納米、7納米等都可以也應該提早布局，然而對于興建芯片生產線，至少在近時期內，可能14納米工藝工藝是一個務實的目標。

要爭氣，要迅速的自強

現階段中國半導體業的發展要作好兩手的準備：

一個方面是繼續改革開放，引進先進工藝技術與加強研發，力求共同發展與共享成果；
另一方面是要作好“萬一”發生時的各種應對“預案”。

任何時候要樹立足夠的信心，回顧上世紀70-80年代，西方實行嚴格的禁運策略，更多的半導體設備都不允許進入中國，可那時的中國半導體業不僅沒有趴下，反而取得不少的成績。

現在的時代己經改變，“你中有我，我中有你”與“合則雙贏，斗則雙輸”，這個道理其實是雙方都心知肚明，關鍵是中國半導體業要爭氣，要迅速的自強，否則很難趕上。

西方的策略也不再是鐵板一塊，如近期展訊的手機芯片在英特爾代工，采用先進的14納米工藝平臺，下一階段在它的Zane Ball的工藝圖譜上還包括10納米及7納米工藝。

總之，按照中國芯片制造業的現狀，離7納米工藝量產可能尚有些遠。而且EUV光刻的配套設備與材料也十分復雜，包括光源，光刻膠，掩膜(mask)，中間掩膜(reticle)，及缺陷檢查儀等。

因此可以說花1億美元馬上去購買1臺EUV光刻機，可能并非完全有必要，而且它的耗電量也十分驚人。

事情總是“有所為,有所不為”，在許多情況下“什么事不為”往往是很難下決心。現階段對于中國的芯片制造業最緊迫的任務是擴大28納米的全球市占率，以及加速14納米與以下工藝的研發進程。

如果真到那個時刻，中國的IC設計芯片找不到地方可以代工，恐怕“壞事會變成好事”，會更加促進如中芯國際等公司的急起直追。

雖然“資本與技術兩個輪子”推動著中國半導體業的進步，但是現階段明顯是技術輪子要小很多，而資本的輪子大，也表示孕育著更大的風險。

所以“有所為，有所不為”的策略選擇，尤其是要迅速的加大技術輪子的力度，加強研發的進程，對于中國半導體業的發展是格外的迫不及待。